ARM-Lizenzen Next-Gen-Flash-Ersatz

ARM im vergangenen Monat lizenziert zwei NVRAM-Technologien: Magnetische RAM (MRAM) von Crocus Technology SA, und Correlated Electron RAM (CeRAM) von Symetrix Corporation. Beide Technologien bieten entscheidende Vorteile für mobile Anwendungen.

Weder verwendet man faserförmige Speicherzellen, die in mehreren konkurrierenden ReRAM-Zellen verwendet werden: Beide Technologien arbeiten bei Femtosekunden-Geschwindigkeiten und hohen Temperaturen mit niedrigen Leistungswerten, im Gegensatz zu Flash-20V-Schreibvorgängen, beide haben die Herstellbarkeit demonstriert, wobei Crocus eine Familie von MLU-Produkten versendet.

Crocus, gegründet 2004, mit Sitz in Grenoble, Frankreich und mit Niederlassungen in den USA und Russland, ist Pionier einer CMOS-basierten Magnetic Logic Unit NVRAM. Neben hohen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten bei niedriger Leistung ist der Speicher sehr robust und arbeitet zuverlässig bei über 200 ° C. Sie bieten auch eine Sicherheitstechnik namens Match-In-Place für die Benutzerauthentifizierung, ohne vertrauliche Informationen zu offenbaren, die ein Angreifer verwenden könnte.

Symetrix ist eine 1986 gegründete Firma Colorado Springs, CO. Sie hält über 100 NV Gedächtnispatente unter Verwendung von Standard-Halbleiterprozessen. Ihr CeRAM ist eine Form des resistiven Gedächtnisses (ReRAM), das Quantenphasenübergänge verwendet, um Bits aufzuzeichnen.

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Die Storage Bits nehmen, beide Unternehmen haben signficant geistiges Eigentum Portfolios und interessante Gemeinsamkeiten.

Ich werde in diese Technologien in Zukunft mehr tauchen. Aber jetzt bin ich beeindruckt von den Technologien, die ARM entdeckt hat. Dies könnte der Spiel-Wechsler für eine Next-Gen-NVRAM der Branche braucht.

Kommentare willkommen, natürlich. Ich hatte das Vergnügen, mit einer Anzahl von brillanten französischen Ingenieuren zu arbeiten. Französisch Management, nicht so viel, aber vielleicht war das ein Zufall.

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